理研計(jì)器|半導(dǎo)體工藝全流程之薄膜沉積

每個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)品的制造都需要數(shù)百個(gè)工藝，我們將整個(gè)制造過(guò)程分為八個(gè)步驟：晶圓加工-氧化-光刻-刻蝕-薄膜沉積-外延生長(zhǎng)-擴(kuò)散-離子注入。

為幫助大家了解和認(rèn)識(shí)半導(dǎo)體及相關(guān)工藝，我們將每期推送微信文章，為大家逐一介紹上述每個(gè)步驟。

在刻蝕之后的一個(gè)環(huán)節(jié)，也是所謂的芯片制造中核心工藝之一“薄膜沉積”。

在半導(dǎo)體行業(yè)中，薄膜常用于產(chǎn)生導(dǎo)電層或絕緣層、產(chǎn)生減反射膜提高吸光率、臨時(shí)阻擋刻蝕等作用，由于薄膜是芯片結(jié)構(gòu)的功能材料層，在芯片完成制造、封測(cè)等工序后會(huì)留存在芯片中，薄膜的技術(shù)參數(shù)直接影響芯片性能。