理研計器|半導體工藝全流程之外延生長

每個半導體產(chǎn)品的制造都需要數(shù)百個工藝，我們將整個制造過程分為八個步驟：晶圓加工-氧化-光刻-刻蝕-薄膜沉積-外延生長-擴散-離子注入。

為幫助大家了解和認識半導體及相關工藝，我們將每期推送微信文章，為大家逐一介紹上述每個步驟。

如今隨著半導體技術的不斷發(fā)展，器件速度越來越快，存儲容量越來越大，半導體工藝中的關鍵尺寸也在不斷縮小，這也帶來了對光刻對準越來越高的要求，比如像以前 0.35微米的產(chǎn)品如果光刻對偏的 0.01微米，不會有太大的影響，但如果是0.13 微米甚至更精密的產(chǎn)品0.01微米的偏差已經(jīng)會讓整個產(chǎn)品完全失效。

在這種背景下，外延生長作為一個必然會帶來圖形漂移的工藝，必須想辦法把漂移量穩(wěn)定控制在可接受的范圍內(nèi)，才能保證產(chǎn)品的穩(wěn)定，才不會影響后面的工藝。
今天，我們就帶大家了解一下半導體的“外延生長”工藝。